Евгений Малинин Опубликовано 21 августа, 2012 Опубликовано 21 августа, 2012 Консорциум Hybrid Memory Cube (HMC) объявил о разработке и выпуске первоначального проекта спецификации интерфейса HMC. Это позволит растущему числу заинтересованных производителей начать внедрять новую технологию, которая обещает повышение быстродействия в различных областях использования. Окончательная версия спецификации должна выйти до конца года. Это пока что первоначальная версия интерфейсного протокола гибридного куба памяти HMC, следующим шагом станет уточнение спецификации. Инициаторами проекта выступали Micron и Samsung, которые работали в тесном сотрудничестве с Altera, ARM, HP, IBM, Microsoft, Open-Silicon, SK Hynix и Xilinx. Гибридный куб памяти демонстрирует новый подход, увеличивая энергоэффективность в семь раз по сравнению с современным стандартом DDR3. Используются чипы памяти, уложенные друг на друга, что формирует устройство в виде компактного куба. Предлагается новый интерфейс, который не только снижает энергопотребление, но и обеспечивает пропускную способностью до 1 Тбит/с. Технология обещает значительно улучшить работу серверов, ультрабуков, планшетов, смартфонов и других маломощных электронных устройств. Раскрывающийся текст: © http://www.xard.ru/articles/ram/22760/
NickGolovko Опубликовано 21 августа, 2012 Опубликовано 21 августа, 2012 Эх. А я-то уж было обрадовался, что квантовый механизм наконец реализовали
ShRaM Опубликовано 22 августа, 2012 Опубликовано 22 августа, 2012 квантовый механизм наконец реализовали какой ?
Андрей Опубликовано 22 августа, 2012 Опубликовано 22 августа, 2012 Это хорошая новость, помню пол года назад читал статью, когда только мечтали о такой памяти. Там говорилось, что по скоростям она в много раз выигрывает у DDR3
Рекомендуемые сообщения
Пожалуйста, войдите, чтобы комментировать
Вы сможете оставить комментарий после входа в
Войти