ShRaM Опубликовано 19 марта, 2012 Поделиться Опубликовано 19 марта, 2012 (изменено) японии был создан самый миниатюрный модуль памяти, емкость которого составляет 128 Гбит, данное изобретение принадлежит компании Toshiba. Данное открытие уже в самое ближайшее время позволит создавать емкостные накопители SSD, карты памяти и обычные флешки-USB. Кроме этого, Toshiba уже сейчас ведёт переговоры с одним из производителей подобных устройств, о поставки ими новых модулей с повышенной памятью. Данная компания называется SanDisk. Представители SanDisk подтвердила, что они пришли к обоюдно выгодному решению с компанией Toshibа, однако точной даты начала поставок современных накопителей названо не было. Представители компании Toshibа, во время своей конференции, что новые модули памяти-NAND, произведены по современной технологии девятнадцати нанометров. Благодаря этому, площадь одного модуля с объёмом 128 гигабит, составляет всего 170 миллиметров квадратных. На сегодняшний день Toshiba смогла создать самую миниатюрную разработку, тем самым опередив такого крупного конкурента, как компания Micron. Стоимость производства одного модуля пока что остаётся в секрете, и не уточняется представителями Toshiba. Однако если учитывать тот факт что новый модуль создаётся по MLC технологии, то есть память модулей основана на ячейках с несколькими уровнями. А это значит, что производство должно быть дешевле, чем носители, изготовленные по SLC технологии, с ячейками на одном уровне. источник Изменено 19 марта, 2012 пользователем ShRaM Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Umnik Опубликовано 19 марта, 2012 Поделиться Опубликовано 19 марта, 2012 емкость которого составляет 128 Гбит 16 ГБ, что ли? анное открытие уже в самое ближайшее время позволит создавать емкостные накопители SSD, карты памяти и обычные флешки-USB. Что? с компанией Toshib Какой? Что это вообще за фигня такая? Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
ShRaM Опубликовано 19 марта, 2012 Автор Поделиться Опубликовано 19 марта, 2012 новость есть новость Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Fox Опубликовано 19 марта, 2012 Поделиться Опубликовано 19 марта, 2012 интересно, как это на качестве отразится? Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Umnik Опубликовано 19 марта, 2012 Поделиться Опубликовано 19 марта, 2012 ShRaM, больше не пости с этого сайта новости. Ты же видишь, что это фигня какая-то. Ошибки, странные единицы измерений, странные обороты. Все странное, даже сайт. Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Fox Опубликовано 19 марта, 2012 Поделиться Опубликовано 19 марта, 2012 а более авторитетного источника этой новости нет? Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
ShRaM Опубликовано 19 марта, 2012 Автор Поделиться Опубликовано 19 марта, 2012 (изменено) а более авторитетного источника этой новости нет? кто для вас авторитет ? С ростом рынка мобильных технологий, увеличивается и спрос на встроенные устройства хранения памяти, особенно в малом форм-факторе. Всего несколько недель прошло с тех пор, как Intel начала использовать свой 25нм чип памяти и совместно с Micron Technology анонсировала 20 нм технологию, и мы сново отмечаем технологический прорыв на рынке модулей памяти. Дело в том, что SanDisk и Toshiba анонсировали высокотехнологичный 19-нм чип памяти. «В сотрудничестве с нашим производственным партнером Toshiba мы с гордостью представляем самые миниатюрные и недорогие чипы флеш-памяти на базе передовой 19-нм технологии. Они помогут вывести флеш-индустрию на следующий уровень, стимулируя при этом разработку инновационных решений, и сделав работу пользователей еще удобнее», — прокомментировал исполнительный вице-президент и директор SanDisk по технологиям Йорам Седар. Это первая в мире и на сегодняшний день лучшая технология, с помощью которой можно создавать чипы такого малого форм-фактора. Элементарными ячейками новых модулей памяти становятся 64-гигабитные компоненты типа «2 бита на ячейку». Данная технология предусматривает хранение двух бит информации в ячейке. На базе 16 таких чипов можно создать 128 Гб твердотельный накопитель, который, как заверяют разработчики, будет и компактнее, и дешевле существующих решений. Модули также будут оборудованы переключателем DDR2.0 для улучшения скорости передачи данных. Компании планируют выпускать встраиваемые и съемные накопители высокой емкости в малых форм-факторах для мобильных телефонов, планшетных компьютеров и других компактных систем. 19-нм технологию производства компании дополнили архитектурой All-Bit-Line (ABL) от SanDisk, по словам которой собственные программирующие алгоритмы и многоуровневые схемы управления хранением данных призваны обеспечить многоуровневую ячеистую флеш-память NAND и это не отразится на производительности и надежности. Образцы новых модулей уже доступны сейчас. Массовое же производство начнётся во втором полугодии. Одновременно компания заявила, что планирует добавить к линейке продуктов 19-нм флеш-память с технологией X3 (три бита на ячейку). http://www.ivista.ru/shop_content.php?coID=887 ShRaM, больше не пости с этого сайта новости. Ты же видишь, что это фигня какая-то. Ошибки, странные единицы измерений, странные обороты. Все странное, даже сайт. Японская компания Toshiba объявила о создании самого миниатюрного в мире модуля флеш-памяти емкостью 128Гб. Данная разработка позволит уже в самом ближайшем будущем приступить к производству куда более емких SSD-накопителей, карт памяти для мобильных устройств, а также обычных USB-флешек. Toshiba уже успела договориться с одной из компаний, выпускающих подобные устройства, о поставке ей новых модулей памяти. Эта компания носит название SanDisk. Пресс-служба SanDisk подтвердила договоренность с Toshiba, но не стала уточнять сроки начала поставок новых накопителей. В пресс-релизе разработчика говорится, что перспективные модули NAND-памяти производства Toshiba выполнены с учетом современной 19-нанометровой технологии. Ее использование позволило уменьшить площадь одного 128-гигабитного модуля памяти вплоть до 170 квадратных миллиметров. В настоящее время разработка Toshiba является самой миниатюрной – японцы сумели обойти даже самого выдающегося производителя NAND-памяти, компанию Micron. MobileDevice.ru напоминает, что буквально в конце прошлого 2011 года Micron объявила о переходе на нормы 20-нанометровой технологии производства модулей памяти. Себестоимость одного NAND-модуля от Toshiba не уточняется. Известно лишь, что в их основе лежит технология MLC, то есть это память, основанная на многоуровневых ячейках. Она, кстати, значительно дешевле по сравнению с одноуровневыми ячейками SLC. источник лучше? Изменено 19 марта, 2012 пользователем ShRaM Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Fox Опубликовано 19 марта, 2012 Поделиться Опубликовано 19 марта, 2012 кто для вас авторитет ? эм. да хотя бы чтобы писали грамотно и без ошибочной информации. Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Рекомендуемые сообщения
Пожалуйста, войдите, чтобы комментировать
Вы сможете оставить комментарий после входа в
Войти