CAIIIKA Опубликовано 6 января, 2011 Поделиться Опубликовано 6 января, 2011 Южнокорейская компания Samsung прочно удерживает звание лидера в области производства микрочипов памяти. Что важно, разработчик не собирается сдавать позиции ― Samsung продемонстрировала модуль оперативной памяти стандарта DDR4, который обеспечивает существенные преимущества над существующим поколением DDR3. Для начала, память работает при напряжении 1,2 В по сравнению с 1,35-1,5 В, необходимых для питания чипов DDR3. По данным из пресс-релиза Samsung, подобное изменение, а также реализованная технология Pseudo Open Drain позволяют снизить энергопотребление на 40% по сравнению с DDR3. Пропускная способность показанного модуля DDR4 достигает 2,13 Гбит/с (весь диапазон ― от 1,6 до 3,2 Гбит/с). В данный момент Samsung уже отправила модули производителям серверов для получения сертификации JEDEC. Источник. Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Рекомендуемые сообщения
Пожалуйста, войдите, чтобы комментировать
Вы сможете оставить комментарий после входа в
Войти