Samsung готовит оперативную память DDR4

[CAIIIKA]

Южнокорейская компания Samsung прочно удерживает звание лидера в области производства микрочипов памяти. Что важно, разработчик не собирается сдавать позиции ― Samsung продемонстрировала модуль оперативной памяти стандарта DDR4, который обеспечивает существенные преимущества над существующим поколением DDR3. Для начала, память работает при напряжении 1,2 В по сравнению с 1,35-1,5 В, необходимых для питания чипов DDR3.

 

По данным из пресс-релиза Samsung, подобное изменение, а также реализованная технология Pseudo Open Drain позволяют снизить энергопотребление на 40% по сравнению с DDR3. Пропускная способность показанного модуля DDR4 достигает 2,13 Гбит/с (весь диапазон ― от 1,6 до 3,2 Гбит/с). В данный момент Samsung уже отправила модули производителям серверов для получения сертификации JEDEC.

 

Источник.